甘子釗，中國科學院院士，廣東省首批引進創(chuàng)新科研團隊——”北京大學寬禁帶半導體研究中心”團隊帶頭人。現(xiàn)任東莞市中鎵半導體科技有限公司名譽董事長。
        2010年5月，以甘子釗院士為帶頭人的寬禁帶半導體研究中心團隊被全職引進至東莞市中鎵半導體科技有限公司，開展”氮化鎵基襯底材料與器件的研究” 項目。在甘子釗院士的指導下，中鎵公司先后建成國內第一條GaN襯底材料生產(chǎn)線和PSS圖形化藍寶石襯底材料生產(chǎn)線，取得重大的經(jīng)濟效益和社會效益，完善了廣東省的LED產(chǎn)業(yè)鏈，推動了我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

        陳健民，光大集團總裁，東莞市中鎵半導體科技有限公司創(chuàng)始人，第一任董事長。廣東省青年企業(yè)家協(xié)會副會長、東莞市政協(xié)委員、東莞市工商 聯(lián)總商會副會長、東莞市青年企業(yè)家協(xié)會副 會長、世界莞商聯(lián)合會第一屆理事會副會長等。
        陳健民先生是東莞發(fā)展高新科技產(chǎn)業(yè)的領跑者，2006年留學歸來后，他懷著振興民族工業(yè)的抱負，于2008年創(chuàng)辦了東莞市中鎵半導體科技有限公司并引進廣東省首批創(chuàng)新科研團隊，使中鎵公司成為國內專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵襯底材料及半導體設備的生產(chǎn)基地，填補了我國氮化鎵半導體襯底行業(yè)的空白。目前公司擁有十多項國內外發(fā)明專利，產(chǎn)品技術達到國際領先水平。

        張國義，物理學博士，現(xiàn)任東莞市中鎵半導體科技有限公司董事長，北京大學物理學院教授， 北京大學寬禁帶半導體聯(lián)合研究中心主任。中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會常務副主任，國家半導體照明研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副主席，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事、專家組成員，中國物理學會發(fā)光分科學會理事，中國電子學會信息光電子分會理事。